В перечне металл-оксид-полупроводниковых транзисторов действия U-MOS IX-H производства Toshiba Electronics появилось устройство с граничным показателем VDSS 60 вольт и предельным током стока сто ампер. Новая модель транзистора производится в корпусе, который подходит для поверхностной установки.

За счет большой предельной температуры канала (до 175 °C) и импульсному току, достигающему 500 ампер, инновационные транзисторы компактного размера можно использовать в комплектации двигателей электрических инструментов и техники бытового назначения на батареях. Если условия эксплуатации требуют нейтрализации еще более высоких температурных показателей, предлагается модификация TPW1R306PL с опцией охлаждения с двух сторон.

В числе преимуществ нового продукта от Toshiba – корпус SOP Advance с низкими показателями типового сопротивления (1 ом). Показатель QOSS равен 77,5 нанокулона, что достигается благодаря оптимальному соотношению емкости на выходе и RDS(ON). Предлагаемое устройство адаптировано для установки на поверхности, дает возможность оперативного переключения, повышения общей производительности систем.

Наряду с прочими моделями линейки U-MOS IX-H, инновационные транзисторы можно устанавливать в цепях источников питания, преобразователях тока. Делая выбор в пользу нового продукта можно существенно сократить потери мощности при синхронном выпрямлении. Специалистам известно, что QOSS – среди главных факторов утраты мощности в подобных условиях.

Источник