Благодаря технологии 3D Xpoint рынок накопителей может ожидать настоящая технологическая революция.
По мнению специалистов компаний Intel и Micron на основе данной технологии удастся создать принципиально новый вид памяти, по своим характеристикам на три порядка превосходящий популярную NAND память.
Напомним, что технология NAND Flash была разработана еще в восьмидесятых годах прошлого столетия и по сей день остается наиболее популярной во всем мире. Однако 3D Xpoint по ряду характеристик существенно превосходит NAND Flash. Изначально 3D Xpoint разрабатывалась в качестве дополнения к действующим архитектурам NAND и DRAM, поэтому учитывает положительные стороны каждой из них.
Согласно предварительным тестам быстродействие накопителей на основе технологии 3D Xpoint способно превосходить современную флэш-памятью (построенную по технологии NAND) не в 10, не в 100, а в 1000 раз. Кроме того, по параметрам долговечности 3D Xpoint также тысячекратно превосходит NAND.
Однако 3D Xpoint не дает возможность решить все проблемы, так память будет уступать стандартной DRAM по своей производительности приблизительно на порядок. При этом плотность хранения данных будет выше в восемь-десять раз. Новая архитектура дает возможность реализовать надежную и в то же время энергонезависимую память. Возможность установки ряда слов памяти в пределах одной микросхемы позволит увеличить ее емкость, а также снизить конечную стоимость.
Разработка 3D Xpoint началась еще в 2012 году с целью повышения производительности различных компьютеров, начиная от обычных игровых компьютеров и заканчивая огромными серверами. По мнению представителей Intel новинка даст возможность банковским учреждениям и прочим финансовым структурам мгновенно реагировать на попытки мошенничества благодаря скоростному анализу поступающей информации. Новая технология также станет раем для геймеров, позволяя выводить контент в сверхвысоких разрешениях.
В то же время стоимость памяти 3D Xpoint сравнима с ценой NAND и DRAM (в пересчете на 1 бит). Однако, конечная стоимость 3D Xpoint будет дороже стандартной флеш-памяти приблизительно в 5 раз. Серийное производство микросхем с новой архитектурой запланировано на 2016 год.
ТОП ЧИТАЕМЫХ
Новости
Thyssenkrupp продает испанский завод Galmed компании Network Steel
Новости
VW отказывается от планов закрытия заводов в Германии
Новости
Метинвест фокусируется на Финляндии и Швеции как на новых рынках
Новости
ЕС освободил вьетнамского производителя нержавеющей стали от компенсационных пошлин
Новости
ArcelorMittal поднял цены горячего проката для потребителей из ЕС
Новости
Украина сократила потребление металлопроката на 8% на фоне резкого роста импорта
Новости
Сделки Nippon-US Steel вызвала разногласия у Комиссии по иностранным инвестициям США